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dc.contributor.author
Tiemann, Lars
dc.contributor.author
Mueller, Susanne
dc.contributor.author
Wu, Quan-S.
dc.contributor.author
Tschirky, Thomas
dc.contributor.author
Ensslin, Klaus
dc.contributor.author
Wegscheider, Werner
dc.contributor.author
Troyer, Matthias
dc.contributor.author
Soluyanov, Alexey A.
dc.contributor.author
Ihn, Thomas
dc.date.accessioned
2017-06-12T20:26:14Z
dc.date.available
2017-06-12T20:26:14Z
dc.date.issued
2017-03
dc.identifier.issn
1098-0121
dc.identifier.issn
0163-1829
dc.identifier.issn
1550-235X
dc.identifier.issn
0556-2805
dc.identifier.issn
2469-9969
dc.identifier.issn
1095-3795
dc.identifier.other
10.1103/PhysRevB.95.115108
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.11850/129713
dc.language.iso
en
dc.publisher
American Physical Society
dc.title
Impact of strain on the electronic properties of InAs/GaSb quantum well systems
dc.type
Journal Article
ethz.journal.title
Physical Review B
ethz.journal.volume
95
ethz.journal.issue
11
ethz.journal.abbreviated
Phys. Rev., B
ethz.pages.start
115108
ethz.size
9 p.
ethz.notes
Published online 6 March 2017.
ethz.identifier.wos
ethz.identifier.scopus
ethz.identifier.nebis
010609954
ethz.publication.place
College Park, MD
ethz.publication.status
published
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ethz.date.deposited
2017-06-12T20:26:34Z
ethz.source
ECIT
ethz.identifier.importid
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ethz.ecitpid
pub:192698
ethz.eth
yes
ethz.availability
Metadata only
ethz.rosetta.installDate
2017-07-15T03:47:15Z
ethz.rosetta.lastUpdated
2018-11-03T02:47:49Z
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true
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