Ersatzschaltung eines GaAs MESFET gewonnen aus Messungen von Betrag und Phase der in ihm erzeugten Harmonischen
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1990Type
- Doctoral Thesis
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https://doi.org/10.3929/ethz-a-000592834Publication status
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ETH ZürichSubject
TRANSISTOREN/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELEKTRONIK); GALLIUM-ARSEN-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE); STREIFENLEITER + MIKROSTRIPS + MIKROSTREIFENLEITER (ELEKTRISCHE SCHWINGUNGSTECHNIK); MODELLRECHNUNG/ELEKTROTECHNIK, ELEKTRONIK, NACHRICHTENTECHNIK, MIKROELEKTRONIK; TRANSISTORS/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELECTRONICS); GALLIUM-ARSENIC COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY); STRIPLINES + MICROSTRIPS + MICROWAVE STRIPS (ELECTRICAL OSCILLATION TECHNOLOGY); MATHEMATICAL MODELING IN ELECTRICAL ENGINEERING, ELECTRONICS, TELECOMMUNICATIONS, MICROELECTRONICSNotes
Diss. Techn. Wiss. ETH Zürich, Nr. 9279, 1990. Ref.: W. Bächtold ; Korref.: G. Epprecht.More
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