Untersuchung des physikalischen Verhaltens von lateralen Vierschichtstrukturen zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in CMOS integrierten Schaltungen

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Author
Reichl, Erich
Date
1994
Type
  • Doctoral Thesis
Rights / license
In Copyright - Non-Commercial Use Permitted
Permanent link
https://doi.org/10.3929/ethz-a-001368003
Publication status
published
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Contributors
Examiner: Jaecklin, André August
Examiner: Melchior, Hans
Publisher
ETH Zürich
Subject
KOMPLEMENTÄRE METALLOXID-HALBLEITERSCHALTUNGEN, CMOS (MIKROELEKTRONIK); STATISCHE LADUNG UND ENTLADUNG (ELEKTROSTATIK); THYRISTOREN (ELEKTRONIK); LAYOUTS/MIKROELEKTRONIK; MULTISCHICHTEN (PHYSIK VON MOLEKULARSYSTEMEN); COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUITS, CMOS (MICROELECTRONICS); STATIC CHARGE AND DISCHARGE (ELECTROSTATICS); THYRISTORS (ELECTRONICS); LAYOUTS/MICROELECTRONICS; MULTILAYERS (PHYSICS OF MOLECULAR SYSTEMS)
Notes
Diss. Techn. Wiss. ETH Zürich, Nr. 10829, 1994. Ref.: H. Melchior ; Korref.: A. A. Jaecklin.
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