Untersuchung des physikalischen Verhaltens von lateralen Vierschichtstrukturen zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in CMOS integrierten Schaltungen

Download
Abstract (Adobe PDF, 309.8Kb)
Fulltext (Adobe PDF, 10.95Mb)
Thumbnail
Closed access
Author
Reichl, Erich
Date
1994
Type
  • Doctoral Thesis
Rights / license
In Copyright - Non-Commercial Use Permitted
Permanent link
https://doi.org/10.3929/ethz-a-001368003
Publication status
published
External links
Search via SFX
Contributors
Examiner: Jaecklin, André August
Examiner: Melchior, Hans
Publisher
ETH Zürich
Subject
KOMPLEMENTÄRE METALLOXID-HALBLEITERSCHALTUNGEN, CMOS (MIKROELEKTRONIK); STATISCHE LADUNG UND ENTLADUNG (ELEKTROSTATIK); THYRISTOREN (ELEKTRONIK); LAYOUTS/MIKROELEKTRONIK; MULTISCHICHTEN (PHYSIK VON MOLEKULARSYSTEMEN); COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUITS, CMOS (MICROELECTRONICS); STATIC CHARGE AND DISCHARGE (ELECTROSTATICS); THYRISTORS (ELECTRONICS); LAYOUTS/MICROELECTRONICS; MULTILAYERS (PHYSICS OF MOLECULAR SYSTEMS)
Notes
Diss. Techn. Wiss. ETH Zürich, Nr. 10829, 1994. Ref.: H. Melchior ; Korref.: A. A. Jaecklin.
More
Show all metadata
ETH Bibliography
yes
Altmetrics