InP/InGaAs single hetero-junction bipolar transistors for integrated photoreceivers operating at 40 Gb/s and beyond
Open access
Datum
2002Typ
- Doctoral Thesis
ETH Bibliographie
yes
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https://doi.org/10.3929/ethz-a-004407297Publikationsstatus
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Verlag
s.n.Thema
HETEROBIPOLARTRANSISTOREN, HBT (ELEKTRONIK); GALLIUMARSENID-BAUELEMENTE (ELEKTRONIK); OPTISCHE EMPFÄNGER (OPTOELEKTRONIK); OPTISCHE SIGNALÜBERTRAGUNG (OPTISCHE NACHRICHTENTECHNIK); HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS, HBT (ELECTRONICS); GALLIUM ARSENIDE DEVICES (ELECTRONICS); OPTICAL RECEIVERS (OPTOELECTRONICS); OPTICAL SIGNAL TRANSMISSION (OPTICAL TELECOMMUNICATIONS)Organisationseinheit
03386 - Jäckel, Heinz
Anmerkungen
Diss., Technische Wissenschaften ETH Zürich, Nr. 14504, 2002.ETH Bibliographie
yes
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