Performance Comparison of s-Si, In0.53Ga0.47As, Monolayer BP- and WS2-Based n-MOSFETs for Future Technology Nodes—Part II: Circuit-Level Comparison
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Datum
2019-08Typ
- Journal Article
ETH Bibliographie
yes
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Publikationsstatus
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Zeitschrift / Serie
IEEE Transactions on Electron DevicesBand
Seiten / Artikelnummer
Verlag
IEEEOrganisationseinheit
03925 - Luisier, Mathieu / Luisier, Mathieu
Zugehörige Publikationen und Daten
Continues: http://hdl.handle.net/20.500.11850/356727
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