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dc.contributor.author
Schmidt, M.
dc.contributor.author
Suess, M. J.
dc.contributor.author
Barros, A. D.
dc.contributor.author
Geiger, R.
dc.contributor.author
Sigg, H.
dc.contributor.author
Spolenak, R.
dc.contributor.author
Minamisawa, R. A.
dc.date.accessioned
2017-06-11T05:51:16Z
dc.date.available
2017-06-11T05:51:16Z
dc.date.issued
2014
dc.identifier.issn
0741-3106
dc.identifier.issn
1558-0563
dc.identifier.other
10.1109/LED.2014.2300865
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.11850/81368
dc.language.iso
en
dc.publisher
IEEE
dc.subject
Strained Si
dc.subject
FinFet
dc.title
A Patterning-Based Strain Engineering for Sub-22 nm Node FinFETs
dc.type
Journal Article
ethz.journal.title
IEEE Electron Device Letters
ethz.journal.volume
35
ethz.journal.issue
3
ethz.journal.abbreviated
IEEE Electron Device Lett.
ethz.pages.start
300
ethz.pages.end
302
ethz.identifier.wos
ethz.identifier.nebis
000008013
ethz.publication.place
New York
ethz.publication.status
published
ethz.leitzahl
ETH Zürich::00002 - ETH Zürich::00012 - Lehre und Forschung::00007 - Departemente::02160 - Dep. Materialwissenschaft / Dep. of Materials::02645 - Institut für Metallforschung / Institute of Metals Research::03692 - Spolenak, Ralph / Spolenak, Ralph
ethz.leitzahl.certified
ETH Zürich::00002 - ETH Zürich::00012 - Lehre und Forschung::00007 - Departemente::02160 - Dep. Materialwissenschaft / Dep. of Materials::02645 - Institut für Metallforschung / Institute of Metals Research::03692 - Spolenak, Ralph / Spolenak, Ralph
ethz.date.deposited
2017-06-11T05:52:39Z
ethz.source
ECIT
ethz.identifier.importid
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ethz.ecitpid
pub:128148
ethz.eth
yes
ethz.availability
Metadata only
ethz.rosetta.installDate
2017-07-12T20:10:14Z
ethz.rosetta.lastUpdated
2021-02-14T11:27:36Z
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