Highly strained Si and Ge microand nanobridges for micro- and optoelectronic applications
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Autor(in)
Datum
2014Typ
- Doctoral Thesis
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https://doi.org/10.3929/ethz-a-010182474Publikationsstatus
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Verlag
ETH-ZürichThema
KOMPLEMENTÄRE METALLOXID-HALBLEITERSCHALTUNGEN, CMOS (MIKROELEKTRONIK); GERMANIUM (CHEMICAL ELEMENTS); OPTOELECTRONIC DEVICES + PHOTOELECTRONIC DEVICES (OPTOELECTRONICS); SILICON (CHEMICAL ELEMENTS); GERMANIUM (CHEMISCHE ELEMENTE); SILICIUM (CHEMISCHE ELEMENTE); OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE + PHOTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE (OPTOELEKTRONIK); COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUITS, CMOS (MICROELECTRONICS)Organisationseinheit
01314 - DR Materialwissenschaft / DR Materials Science02160 - Dep. Materialwissenschaft / Dep. of Materials
03692 - Spolenak, Ralph / Spolenak, Ralph
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