Excess carrier lifetimes in Ge layers on Si - Research Collection

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Autor(in)

Faist, Jérôme

Datum

2014

Typ

Journal Article

ETH Bibliographie

yes

Altmetrics

Publikationsstatus

published

Externe Links

https://doi.org/10.1063/1.4865237

Zeitschrift / Serie

Applied Physics Letters

Band

104(6)

Seiten / Artikelnummer

062106

Verlag

American Institute of Physics

Organisationseinheit

03759 - Faist, Jérôme / Faist, Jérôme

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