Grid adaptation for the stationary two-dimensional drift-diffusion model in semiconductor device simulation
Closed access
Autor(in)
Datum
2002Typ
- Doctoral Thesis
ETH Bibliographie
yes
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Persistenter Link
https://doi.org/10.3929/ethz-a-004316242Publikationsstatus
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Beteiligte
Referent: Fichtner, Wolfgang
Verlag
s.n.Thema
TRANSIENTENANALYSE (ELEKTROTECHNIK); HALBLEITERBAUELEMENTE + ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE (ELEKTRONIK); TRANSPORTGLEICHUNGEN (ANALYSIS); MEHRGITTERVERFAHREN + GITTERERZEUGUNG (NUMERISCHE MATHEMATIK); HOMOTOPIEVERFAHREN (NUMERISCHE MATHEMATIK); TRANSISTOREN/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELEKTRONIK); TRANSIENT ANALYSIS (ELECTRICAL ENGINEERING); SEMICONDUCTOR COMPONENTS + ELECTRONIC COMPONENTS (ELECTRONICS); TRANSPORT EQUATIONS (MATHEMATICAL ANALYSIS); MULTIGRID METHODS + GRID GENERATION (NUMERICAL MATHEMATICS); CONTINUATION METHODS (NUMERICAL MATHEMATICS); TRANSISTORS/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELECTRONICS)Organisationseinheit
03228 - Fichtner, Wolfgang
Anmerkungen
Diss., Technische Wissenschaften ETH Zürich, Nr. 14449, 2002.ETH Bibliographie
yes
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