High pressure crystal growth, thermodynamics and physical properties of AIxGa₁-xN semiconductors
Open access
Autor(in)
Datum
2010Typ
- Doctoral Thesis
ETH Bibliographie
yes
Altmetrics
Persistenter Link
https://doi.org/10.3929/ethz-a-006039449Publikationsstatus
publishedExterne Links
Printexemplar via ETH-Bibliothek suchen
Verlag
ETHThema
HALBLEITERMATERIALIEN (ELEKTROTECHNIK); ALUMINIUM-STICKSTOFF-VERBINDUNGEN (ANORGANISCHE CHEMIE); KRISTALLZÜCHTUNG + KRISTALLWACHSTUM; MIKROSTRUKTUR VON MOLEKULARSYSTEMEN (PHYSIK); SEMICONDUCTOR MATERIALS (ELECTRICAL ENGINEERING); ALUMINIUM-NITROGEN COMPOUNDS (INORGANIC CHEMISTRY); CRYSTALL GROWING + CRYSTAL GROWTH; MICROSTRUCTURE OF MOLECULAR SYSTEMS (PHYSICS)Organisationseinheit
03569 - Batlogg, Bertram (emeritus)
Anmerkungen
Diss., Eidgenössische Technische Hochschule ETH Zürich, Nr. 18846, 2010.ETH Bibliographie
yes
Altmetrics