A new two-dimensional TCAD model for threshold instability in silicon carbide MOSFETs
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Datum
2013Typ
- Conference Paper
ETH Bibliographie
yes
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Publikationsstatus
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Zeitschrift / Serie
Microelectronics ReliabilityBand
Seiten / Artikelnummer
Verlag
ElsevierKonferenz
Organisationseinheit
03380 - Huang, Qiuting (emeritus) / Huang, Qiuting (emeritus)
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