Midinfrared intersubband absorption on AlGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors

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Autor(in)
Hofstetter, Daniel
Diehl, Laurent
Faist, Jérômecc
Schaff, William J.
Hwang, Jeff
Eastman, Lester F.
Zellweger, Christoph
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Datum
2002-04
Typ
    Journal Article
Publikationsstatus
published
Externe Links
Zeitschrift / Serie
Applied Physics Letters
Band
80(16)
Seiten / Artikelnummer
2991 - 2993
Verlag
American Institute of Physics
Organisationseinheit
03759 - Faist, Jérôme / Faist, Jérôme  
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ETH Bibliographie
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