Scattering mechanisms of highest-mobility InAs/AlxGa1-xSb quantum wells
dc.contributor.author
Tschirky, Thomas
dc.contributor.author
Mueller, Susanne
dc.contributor.author
Lehner, Christian A.
dc.contributor.author
Fält, Stefan
dc.contributor.author
Ihn, Thomas M.
dc.contributor.author
Ensslin, Klaus
dc.contributor.author
Wegscheider, Werner
dc.date.accessioned
2017-06-12T20:26:20Z
dc.date.available
2017-06-12T20:26:20Z
dc.date.issued
2017-03
dc.identifier.issn
1098-0121
dc.identifier.issn
0163-1829
dc.identifier.issn
1550-235X
dc.identifier.issn
0556-2805
dc.identifier.issn
2469-9969
dc.identifier.issn
1095-3795
dc.identifier.issn
2469-9950
dc.identifier.other
10.1103/PhysRevB.95.115304
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/20.500.11850/129720
dc.language.iso
en
dc.publisher
American Physical Society
dc.title
Scattering mechanisms of highest-mobility InAs/AlxGa1-xSb quantum wells
dc.type
Journal Article
ethz.journal.title
Physical Review B
ethz.journal.volume
95
ethz.journal.issue
11
ethz.journal.abbreviated
Phys. Rev., B
ethz.pages.start
115304
ethz.size
8 p.
ethz.notes
Published online 9 March 2017.
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010609954
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College Park, MD
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published
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ethz.date.deposited
2017-06-12T20:26:34Z
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Metadata only
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2017-07-13T15:19:12Z
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2022-03-28T15:37:05Z
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Publikationstyp
-
Journal Article [128795]