Entwurf und Charakterisierung von monolithisch integrierten GaAs-MESFET Klasse AB Leistungsverstärkern
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Autor(in)
Datum
1998Typ
- Doctoral Thesis
ETH Bibliographie
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https://doi.org/10.3929/ethz-a-001979127Publikationsstatus
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Verlag
ETH ZürichThema
TRANSISTOREN/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELEKTRONIK); LEISTUNGSVERSTÄRKER (ELEKTRISCHE SCHWINGUNGSTECHNIK); GALLIUMARSENID-BAUELEMENTE (ELEKTRONIK); TRANSISTORS/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELECTRONICS); POWER AMPLIFIERS (ELECTRICAL OSCILLATION TECHNOLOGY); GALLIUM ARSENIDE DEVICES (ELECTRONICS)Organisationseinheit
03262 - Bächtold, Werner
Anmerkungen
Diss. Techn. Wiss. ETH Zürich, Nr. 12801, 1998. Ref.: W. Bächtold ; Korref.: H. Jäckel.ETH Bibliographie
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